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文献
J-GLOBAL ID：200902114263265391
整理番号：01A0886199
Tiでドープし圧力雰囲気中で焼結したMgB2バルク超伝導体の高臨界電流密度
High critical current density of MgB2 bulk superconductor doped with Ti and sintered at ambient pressure.
ZHAO Y
(ISTEC, Tokyo, JPN)
,
FENG Y
(ISTEC, Tokyo, JPN)
,
CHENG C H
(Univ. New South Wales, New South Wales, AUS)
,
ZHOU L
(Northwest Inst. Nonferrous Metal Res., Xi’an, CHN)
,
WU Y
(ISTEC, Tokyo, JPN)
,
MACHI T
(ISTEC, Tokyo, JPN)
,
FUDAMOTO Y
(ISTEC, Tokyo, JPN)
,
KOSHIZUKA N
(ISTEC, Tokyo, JPN)
,
MURAKAMI M
(ISTEC, Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 79 号： 8 ページ： 1154-1156 発行年： 2001年08月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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