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文献
J-GLOBAL ID：200902114485253200
整理番号：99A0113794
SiCのICPエッチング
ICP etching of SiC.
WANG J J
(Univ. Florida, FL, USA)
,
LAMBERS E S
(Univ. Florida, FL, USA)
,
PEARTON S J
(Univ. Florida, FL, USA)
,
OSTLING M
(Royal Inst. Technol., Kista, SWE)
,
ZETTERLING C-M
(Royal Inst. Technol., Kista, SWE)
,
GROW J M
(New Jersey Inst. Technol., NJ, USA)
,
REN F
(Univ. Florida, FL, USA)
,
SHUL R J
(Sandia National Lab., NM, USA)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 42 号： 12 ページ： 2283-2288 発行年： 1998年12月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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