文献
J-GLOBAL ID:200902114528340420
整理番号:97A0390107
緩和Ge/Si-Ge(組成傾斜)/Si構造における新たな転位構造と表面形態効果
Novel dislocation structure and surface morphology effects in relaxed Ge/Si-Ge(graded)/Si structures.
著者 (2件):
SAMAVEDAM S B
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
FITZGERALD E A
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
81
号:
7
ページ:
3108-3116
発行年:
1997年04月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)