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文献
J-GLOBAL ID：200902114564155834
整理番号：98A0605260
シリコン薄膜の新しい位相変調エキシマレーザ結晶化法
A Novel Phase-Modulated Excimer-Laser Crystallization Method of Silicon Thin Films.
OH C-H
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
OZAWA M
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
MATSUMURA M
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 37 号： 5A ページ： L492-L495 発行年： 1998年05月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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