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文献
J-GLOBAL ID：200902114615275805
整理番号：01A0176348
不純物をドープしたMott型絶縁体における組成拡張法による相図の迅速な作成
Rapid construction of a phase diagram of doped Mott insulators with a composition-spread approach.
FUKUMURA T
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
OHTANI M
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KAWASAKI M
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
OKIMOTO Y
(Joint Res. Center for Atom Technol.(JRCAT), Tsukuba, JPN)
,
KAGEYAMA T
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KOIDA T
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
HASEGAWA T
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
TOKURA Y
(Joint Res. Center for Atom Technol.(JRCAT), Tsukuba, JPN)
,
KOINUMA H
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 77 号： 21 ページ： 3426-3428 発行年： 2000年11月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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