文献
J-GLOBAL ID:200902114768883162
整理番号:97A0729223
高品質のSiC層のステップ制御エピタクシー
Step-Controlled Epitaxial Growth of High-Quality SiC Layers.
著者 (3件):
KIMOTO T
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
ITOH A
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
MATSUNAMI H
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名:
Physica Status Solidi. B. Basic Research
(Physica Status Solidi. B. Basic Research)
巻:
202
号:
1
ページ:
247-262
発行年:
1997年07月01日
JST資料番号:
C0599A
ISSN:
0370-1972
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)