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文献
J-GLOBAL ID:200902114793935185   整理番号:98A1007807

銅メタライゼーション用の五臭化タンタルからのタンタルの低温プラズマ化学蒸着

Low temperature plasma-promoted chemical vapor deposition of tantalum from tantalum pentabromide for copper metallization.
著者 (4件):
CHEN X
(SUNY, New York)
FRISCH H L
(SUNY, New York)
KALOYEROS A E
(SUNY, New York)
ARKLES B
(Gelest Inc., Pennsylvania)

資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)

巻: 16  号:ページ: 2887-2890  発行年: 1998年09月 
JST資料番号: E0974A  ISSN: 1071-1023  CODEN: JVTBD9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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