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文献
J-GLOBAL ID：200902114845991364
整理番号：93A0781525
Germanium deposition on silicon: Surface chemistry of (CH3CH2)2GeH2 and GeCl4.
COON P A
(Univ. Colorado, Colorado)
,
WISE M L
(Univ. Colorado, Colorado)
,
DILLON A C
(Univ. Colorado, Colorado)
,
GEORGE S M
(Univ. Colorado, Colorado)
資料名：
Chemical Perspectives of Microelectronic Materials 3
(Chemical Perspectives of Microelectronic Materials 3)
ページ： 413-419 発行年： 1993年
JST資料番号： K19930443 ISBN： 1-55899-177-8 資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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