文献
J-GLOBAL ID:200902114936840725
整理番号:02A0177145
歪みバルク半導体光増幅器における埋込構造が偏波感受性に及ぼす影響
Influence of Buried Structure on Polarization Sensitivity in Strained Bulk Semiconductor Optical Amplifiers.
著者 (6件):
KAKITSUKA T
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
SHIBATA Y
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
ITOH M
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
KADOTA Y
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
TOHMORI Y
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
YOSHIKUNI Y
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名:
IEEE Journal of Quantum Electronics
(IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻:
38
号:
1
ページ:
85-92
発行年:
2002年01月
JST資料番号:
H0432A
ISSN:
0018-9197
CODEN:
IEJQA7
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)