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文献
J-GLOBAL ID：200902114968685101
整理番号：01A0753171
歪み-Si-オン-絶縁体(歪み-SOI)MOSFET 概念,構造とデバイス特性
Silicon Nanodevices. Strained-Si-on-Insulator (Strained-SOI) MOSFETs. Concept, Structures and Device Characteristics.
TAKAGI S
(Toshiba Corp., Kawasaki-shi, JPN)
,
MIZUNO T
(Toshiba Corp., Kawasaki-shi, JPN)
,
SUGIYAMA N
(Toshiba Corp., Kawasaki-shi, JPN)
,
TEZUKA T
(Toshiba Corp., Kawasaki-shi, JPN)
,
KUROBE A
(Toshiba Corp., Kawasaki-shi, JPN)
資料名：
IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
(IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E84-C 号： 8 ページ： 1043-1050 発行年： 2001年08月01日
JST資料番号： L1370A ISSN： 0916-8524 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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