文献
J-GLOBAL ID:200902114994070395
整理番号:94A0143126
Ga0.47In0.53AsにおけるZn拡散の二次イオン質量分析法による研究
Secondary ion mass spectroscopy study of the diffusion of Zn in Ga0.47In0.53As.
著者 (3件):
TAYLOR S J
(Lab. Physique du Solide et Energie Solaire, CNRS, Valbonne, FRA)
,
BEAUMONT B
(Lab. Physique du Solide et Energie Solaire, CNRS, Valbonne, FRA)
,
GUILLAUME J C
(Lab. Physique du Solide et Energie Solaire, CNRS, Valbonne, FRA)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
8
号:
12
ページ:
2193-2196
発行年:
1993年12月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)