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文献
J-GLOBAL ID：200902115098935316
整理番号：98A0918079
AlGaN/GaN量子井戸紫外発光ダイオード
AlGaN/GaN quantum well ultraviolet light emitting diodes.
HAN J
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
CRAWFORD M H
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
SHUL R J
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
FIGIEL J J
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
BANAS M
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
ZHANG L
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
SONG Y K
(Brown Univ., Rhode Island)
,
ZHOU H
(Brown Univ., Rhode Island)
,
NURMIKKO A V
(Brown Univ., Rhode Island)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 73 号： 12 ページ： 1688-1690 発行年： 1998年09月21日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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