文献
J-GLOBAL ID:200902115146421877
整理番号:96A0563594
走査トンネル顕微鏡によるn型GaAsとn型InAsのトンネル特性に対するレーザ照射効果の研究
Laser irradiation effects on tunneling properties of n-type GaAs and InAs by scanning tunneling microscopy.
著者 (2件):
TAKAHASHI T
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
YOSHITA M
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
68
号:
24
ページ:
3479-3481
発行年:
1996年06月10日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)