文献
J-GLOBAL ID:200902115206918865
整理番号:01A0601036
パルスレーザアブレーション成膜法により製作したZrO2/Zrけい酸塩/Si MIS構造中のバンドダイアグラムとキャリア伝導メカニズム
Band Diagram and Carrier Conduction Mechanism in ZrO2/Zr-silicate/Si MIS Structure Fabricated by Pulsed-laser-abltion Deposition.
著者 (4件):
YAMAGUCHI T
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
SATAKE H
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
FUKUSHIMA N
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
TORIUMI A
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2000
ページ:
2.1.1-2.1.4
発行年:
2000年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)