文献
J-GLOBAL ID:200902115247408480
整理番号:02A0451103
電力BiCMOS応用のためのN-LDMOSトランジスタアレイのホットキャリア信頼性
Hot Carrier Reliability of N-LDMOS Transistor Arrays for Power BiCMOS Applications.
著者 (3件):
BRISBIN D
(National Semiconductor Corp., CA)
,
STRACHAN A
(National Semiconductor Corp., CA)
,
CHAPARALA P
(National Semiconductor Corp., CA)
資料名:
Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium
(Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻:
40th
ページ:
105-110
発行年:
2002年
JST資料番号:
A0631A
ISSN:
1541-7026
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)