文献
J-GLOBAL ID:200902115491952281
整理番号:99A0010247
SiO2/Si基板上のMOCVD PZT/RuO2薄膜ヘテロ構造におけるその場低温成長と配向制御
In-situ low temperature growth and orientation control in MOCVD PZT/RuO2 thin film heterostructures on SiO2/Si substrates.
著者 (5件):
BAI G-R
(Argonne National Lab., IL)
,
WANG A
(Argonne National Lab., IL)
,
TSU I-F
(Argonne National Lab., IL)
,
FOSTER C M
(Argonne National Lab., IL)
,
AUCIELLO O
(Argonne National Lab., IL)
資料名:
Integrated Ferroelectrics
(Integrated Ferroelectrics)
巻:
21
号:
1/4
ページ:
291-304
発行年:
1998年09月
JST資料番号:
W0539A
ISSN:
1058-4587
CODEN:
IFEREU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)