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文献
J-GLOBAL ID：200902115607388559
整理番号：00A0951989
ガス源分子ビームエピタクシーで成長させたTlInGaAs/InP二重ヘテロ構造における非常に微細な温度に依存するバンドギャップエネルギー
Very small temperature-dependent band-gap energy in TllnGaAs/InP double heterostructures grown by gas-source molecular-beam epitaxy.
AYABE A
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ASAHI H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
LEE H J
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MAEDA O
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KONISHI K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ASAMI K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
GONDA S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 77 号： 14 ページ： 2148-2150 発行年： 2000年10月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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