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文献
J-GLOBAL ID：200902115668049315
整理番号：00A0715380
量子ドット層でゲートした電界効果トランジスタによる単一光子検出
Detection of single photons using a field-effect transistor gated by a layer of quantum dots.
SHIELDS A J
(Toshiba Res. Europe Ltd., Cambridge, GBR)
,
O’SULLIVAN M P
(Toshiba Res. Europe Ltd., Cambridge, GBR)
,
FARRER I
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
RITCHIE D A
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
HOGG R A
(Toshiba Res. Europe Ltd., Cambridge, GBR)
,
LEADBEATER M L
(Toshiba Res. Europe Ltd., Cambridge, GBR)
,
NORMAN C E
(Toshiba Res. Europe Ltd., Cambridge, GBR)
,
PEPPER M
(Toshiba Res. Europe Ltd., Cambridge, GBR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 76 号： 25 ページ： 3673-3675 発行年： 2000年06月19日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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