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J-GLOBAL ID：200902115950845272 整理番号：99A0459390

水平型冷壁CVD反応炉におけるSiCホモエピタクシープロセスの改良

Improvements of the SiC Homoepitaxy Process in a Horizontal Cold-Wall CVD Reactor.

著者 (3件)：

WISCHMEYER F

(Daimler-Benz AG, Frankfurt, DEU)

NIEMANN E

(Daimler-Benz AG, Frankfurt, DEU)

HARTNAGEL H L

(Technical Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU)

資料名：

Journal of Electronic Materials (Journal of Electronic Materials)

巻： 28 号： 3 ページ： 175-179 発行年： 1999年03月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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