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文献
J-GLOBAL ID：200902115959073094
整理番号：00A0987900
4H-SiC金属-酸化物-半導体キャパシタにおける種々のゲート絶縁材料の電子捕獲と界面状態
Study on electron trapping and interface states of various gate dielectric materials in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor capacitors.
CHO W-J
(Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body and Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
KOSUGI R
(Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body and Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
SENZAKI J
(Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body and Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
FUKUDA K
(Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body and Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
ARAI K
(Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body and Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
SUZUKI S
(Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body and R&D Assoc. Future Electron Devices, Ibaraki, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 77 号： 13 ページ： 2054-2056 発行年： 2000年09月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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