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文献
J-GLOBAL ID：200902116067885287
整理番号：98A0833152
Coを共スパッタさせたCu-In合金前駆体の狭い空間内の蒸気硫化によって成長させたCuInS2薄膜の特性評価
Characterization of CuInS2 Thin Films Grown by Close-spaced Vapor Sulfurization of Co-sputtered Cu-In Alloy Precursors.Cu-In alloy films were prepared on bare or Mo-coated glass by co-sputtering from Cu and In targets at ambient temperature.
ADURODIJA F O
(Korea Inst. Energy Res., Taejon, KOR)
,
SONG J
(Korea Inst. Energy Res., Taejon, KOR)
,
KIM S K
(Korea Inst. Energy Res., Taejon, KOR)
,
KIM S D
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
YOON K H
(Korea Inst. Energy Res., Taejon, KOR)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 37 号： 8 ページ： 4248-4253 発行年： 1998年08月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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