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文献
J-GLOBAL ID:200902116085995685   整理番号:00A0447639

低温,低活性化エネルギープロセスによるSi基板のゲート酸化

Low-Temperature and Low-Activation-Energy Process for the Gate Oxidation of Si Substrates.
著者 (4件):
UENO T
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
MORIOKA A
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
CHIKAMURA S
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
IWASAKI Y
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)

巻: 39  号: 4B  ページ: L327-L329  発行年: 2000年04月15日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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