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文献
J-GLOBAL ID：200902116085995685
整理番号：00A0447639
低温,低活性化エネルギープロセスによるSi基板のゲート酸化
Low-Temperature and Low-Activation-Energy Process for the Gate Oxidation of Si Substrates.
UENO T
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
MORIOKA A
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
CHIKAMURA S
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
IWASAKI Y
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39 号： 4B ページ： L327-L329 発行年： 2000年04月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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