文献
J-GLOBAL ID:200902116266646607
整理番号:01A0807861
超低誘電率,秩序化孔構造,疎水性表面を持つスピン-オンメソ多孔質シリカ膜
Spin-on Mesoporous Silica Films with Ultralow Dielectric Constants, Ordered Pore Structures, and Hydrophobic Surfaces.
著者 (5件):
YANG -CM
(National Tsinghua Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHO A-T
(National Tsinghua Univ., Hsinchu, TWN)
,
PAN F-M
(National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN)
,
TSAI T-G
(National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN)
,
CHAO K-J
(National Tsinghua Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
Advanced Materials
(Advanced Materials)
巻:
13
号:
14
ページ:
1099-1102
発行年:
2001年07月18日
JST資料番号:
W0001A
ISSN:
0935-9648
CODEN:
ADVMEW
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)