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文献
J-GLOBAL ID：200902116364037058
整理番号：00A0547257
Si基板上にMBE成長させたSi/InAs/Si層の構造及び光学的性質
Structure and optical properties of Si/InAs/Si layers grown by molecular beam epitaxy on Si substrate.
ZAKHAROV N D
(Max-Planck Inst. Microstructure Physics, Halle/Saale, DEU)
,
WERNER P
(Max-Planck Inst. Microstructure Physics, Halle/Saale, DEU)
,
GOESELE U
(Max-Planck Inst. Microstructure Physics, Halle/Saale, DEU)
,
HEITZ R
(Technical Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
BIMBERG D
(Technical Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
LEDENTSOV N N
(A.F. Ioffe Phisico-Technical Inst., RAS, St. Petersburg, RUS)
,
USTINOV V M
(A.F. Ioffe Phisico-Technical Inst., RAS, St. Petersburg, RUS)
,
VOLOVIK B V
(A.F. Ioffe Phisico-Technical Inst., RAS, St. Petersburg, RUS)
,
CIRLIN G E
(A.F. Ioffe Phisico-Technical Inst., RAS, St. Petersburg, RUS)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 76 号： 19 ページ： 2677-2679 発行年： 2000年05月08日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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