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文献
J-GLOBAL ID：200902116426847647
整理番号：02A0106728
A High-Power GaN-Based Field-Effect Transistor for Large-Current Operation.
YOSHIDA S
(Furukawa Electric Co., Ltd., Yokohama, JPN)
,
ISHII H
(Furukawa Electric Co., Ltd., Yokohama, JPN)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applied Research
(Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 188 号： 1 ページ： 243-246 発行年： 2001年11月16日
JST資料番号： D0774A ISSN： 0031-8965 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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