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文献
J-GLOBAL ID：200902116540713146
整理番号：97A0858463
4H-SiC epi-ウェハのウェハ湾曲,結晶曲げ及び界面特性
Wafer warpage, crystal bending and interface properties of 4H-SiC epi-wafers.
ELLISON A
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
RADAMSON H
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
TUOMINEN M
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
MILITA S
(European Synchrotron Radiation Facility, Grenoble, FRA)
,
HALLIN C
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
HENRY A
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
KORDINA O
(Okmetic Ltd., Espoo, FIN)
,
TUOMI T
(Helsinki Univ. Technol., Espoo, FIN)
,
JANZ<span style=text-decoration:overline>E ́</span>N E
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
資料名：
Diamond and Related Materials
(Diamond and Related Materials)
巻： 6 号： 10 ページ： 1369-1373 発行年： 1997年08月
JST資料番号： W0498A ISSN： 0925-9635 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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