文献
J-GLOBAL ID:200902116638642450
整理番号:97A0086699
Czochralski成長後未処理のSi結晶中の“IR散乱欠陥”の透過型電子顕微鏡による観察
Transmission Electron Microscope Observation of “IR Scattering Defects” in As-Grown Czochralski Si Crystals.
著者 (4件):
KATO M
(Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., Gunma, JPN)
,
YOSHIDA T
(Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., Gunma, JPN)
,
IKEDA Y
(Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., Gunma, JPN)
,
KITAGAWARA Y
(Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., Gunma, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
35
号:
11
ページ:
5597-5601
発行年:
1996年11月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)