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文献
J-GLOBAL ID：200902116716320715
整理番号：97A0380074
4H-SiC PN接合整流素子における降伏電圧の正の温度係数
Positive Temperature Coefficient of Breakdown Voltage in 4H-SiC PN Junction Rectifiers.
NEUDECK P G
(NASA Lewis Res. Center, OH, USA)
,
FAZI C
(U.S. Army Res. Lab., MD, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 18 号： 3 ページ： 96-98 発行年： 1997年03月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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