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文献
J-GLOBAL ID:200902116829634970   整理番号:93A0663964

MOCVD法によりSrTiO3:Nb及びPt基板上に成長したPZT薄膜の強誘電特性

Ferroelectric Properties for PZT Thin Films Grown on SrTi03:Nb and Pt Substrates by MOCVD.
著者 (2件):
江口和弘
(東芝 研開セ)
名取克晃
(東芝 研開セ)

資料名:
応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)

巻: 40th  号: Pt 2  ページ: 489  発行年: 1993年03月 
JST資料番号: Y0054A  資料種別: 会議録 (C)
発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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