文献
J-GLOBAL ID:200902116850099103
整理番号:01A0700082
薄いSiO2を有するMOSキャパシタの絶縁破壊特性に及ぼす有機汚染物の影響
Influence of Organic Contaminant on Breakdown Characteristics of MOS Capacitors with Thin SiO2.
著者 (4件):
YOSHINO T
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
YOKOYAMA S
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
SUZUKI T
(EBARA Co., Ltd., Fujisawa, JPN)
,
FUJII T
(EBARA Co., Ltd., Fujisawa, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
40
号:
4B
ページ:
2849-2853
発行年:
2001年04月30日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)