文献
J-GLOBAL ID:200902116874908002
整理番号:99A0420135
分割されたソース線で構成された0.13μmMONOS単一トランジスタメモリセル
0.13μm MONOS single transistor memory cell with separated source lines.
著者 (5件):
FUJIWARA I
(Sony Corp., Kanagawa-ken, JPN)
,
AOZASA H
(Sony Corp., Kanagawa-ken, JPN)
,
NAKAMURA A
(Sony Corp., Kanagawa-ken, JPN)
,
KOMATSU Y
(Sony Corp., Kanagawa-ken, JPN)
,
HAYASHI Y
(Sony Corp., Kanagawa-ken, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1998
ページ:
995-998
発行年:
1998年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)