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文献
J-GLOBAL ID：200902117096065317
整理番号：93A0603825
高い基板温度で作製した水素化非晶質けい素膜 性質および光誘起劣化
Hydrogenated amorphous silicon films prepared at high substrate temperature: Properties and light induced degradation.
BANERJEE R
(Indian Assoc. Cultivation Of Science, Calcutta, IND)
,
GHOSH S
(Indian Assoc. Cultivation Of Science, Calcutta, IND)
,
CHATTOPADHYAY S
(Indian Assoc. Cultivation Of Science, Calcutta, IND)
,
BANDYOPADHYAY A K
(Indian Assoc. Cultivation Of Science, Calcutta, IND)
,
CHAUDHURI P
(Indian Assoc. Cultivation Of Science, Calcutta, IND)
,
BATABYAL A K
(Indian Assoc. Cultivation Of Science, Calcutta, IND)
,
BARUA A K
(Indian Assoc. Cultivation Of Science, Calcutta, IND)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 73 号： 11 ページ： 7435-7440 発行年： 1993年06月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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