文献
J-GLOBAL ID:200902117141248339
整理番号:02A0325670
H注入GaNのブリスタリング
Blistering of H-implanted GaN.
著者 (5件):
KUCHEYEV S O
(Australian National Univ., ACT, AUS)
,
WILLIAMS J S
(Australian National Univ., ACT, AUS)
,
JAGADISH C
(Australian National Univ., ACT, AUS)
,
ZOU J
(Univ. Sydney, NSW, AUS)
,
LI G
(Ledex Corp., Kaohsiung County, TWN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
91
号:
6
ページ:
3928-3930
発行年:
2002年03月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)