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文献
J-GLOBAL ID:200902117189887350   整理番号:00A0019349

500V、3AワンチップインバータICのための横型IGBT設計の改善

Improvement in Lateral IGBT Design for 500V 3A One Chip Inverter ICs.
著者 (4件):
NAKAGAWA A
(Toshiba Advanced Semiconductor Devices Lab., Kawasaki)
FUNAKI H
(Toshiba Advanced Semiconductor Devices Lab., Kawasaki)
YAMAGUCHI Y
(Toshiba Advanced Semiconductor Devices Lab., Kawasaki)
SUZUKI F
(Toshiba Advanced Semiconductor Devices Lab., Kawasaki)

資料名:
Proceedings. 11th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1999  (Proceedings. 11th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1999)

ページ: 321-324  発行年: 1999年 
JST資料番号: K19990435  ISBN: 0-7803-5291-2  資料種別: 会議録 (C)
発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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