文献
J-GLOBAL ID:200902117189887350
整理番号:00A0019349
500V、3AワンチップインバータICのための横型IGBT設計の改善
Improvement in Lateral IGBT Design for 500V 3A One Chip Inverter ICs.
著者 (4件):
NAKAGAWA A
(Toshiba Advanced Semiconductor Devices Lab., Kawasaki)
,
FUNAKI H
(Toshiba Advanced Semiconductor Devices Lab., Kawasaki)
,
YAMAGUCHI Y
(Toshiba Advanced Semiconductor Devices Lab., Kawasaki)
,
SUZUKI F
(Toshiba Advanced Semiconductor Devices Lab., Kawasaki)
資料名:
Proceedings. 11th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1999
(Proceedings. 11th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1999)
ページ:
321-324
発行年:
1999年
JST資料番号:
K19990435
ISBN:
0-7803-5291-2
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)