文献
J-GLOBAL ID:200902117358621763
整理番号:93A0277404
半導性のBeをドープした多結晶の立方晶窒化ほう素の高圧合成とその電気的特性
High pressure synthesis of semiconducting Be-doped polycrystalline cubic boron nitride and its electrical properties.
著者 (5件):
TANIGUCHI T
(National Inst. Research in Inorganic Materials, Ibaraki, JPN)
,
TANAKA J
(National Inst. Research in Inorganic Materials, Ibaraki, JPN)
,
MISHIMA O
(National Inst. Research in Inorganic Materials, Ibaraki, JPN)
,
OHSAWA T
(National Inst. Research in Inorganic Materials, Ibaraki, JPN)
,
YAMAOKA S
(National Inst. Research in Inorganic Materials, Ibaraki, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
62
号:
6
ページ:
576-578
発行年:
1993年02月08日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)