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文献
J-GLOBAL ID：200902117366591008
整理番号：98A0023757
有機金属気相エピタクシーによる低欠陥密度のGaNの横方向エピタクシー
Lateral epitaxy of low defect density GaN layers via organometallic vapor phase epitaxy.
NAM O-H
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
BREMSER M D
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
ZHELEVA T S
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
DAVIS R F
(North Carolina State Univ., North Carolina)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 71 号： 18 ページ： 2638-2640 発行年： 1997年11月03日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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