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文献
J-GLOBAL ID：200902117410101188
整理番号：01A0094434
原子状窒素を用いたSi基板のダメージフリー低温窒化技術
Hydrogen-free and Damage-free Nitridation of Si Substrate Using Atomic Nitrogen Radicals.
藤崎芳久
(東京工大 フロンティア創造共同研セ)
,
石原宏
(東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 100 号： 373(SDM2000 142-147) ページ： 21-26 発行年： 2000年10月19日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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