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文献
J-GLOBAL ID：200902117437103808
整理番号：02A0226005
進歩したナノ構造作製のためのけい素ウエハスケールに対する歪分布制御
Strain distribution control on the silicon wafer scale for advanced nanostructure fabrication.
OMI H
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
BOTTOMLEY D J
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
OGINO T
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 80 号： 6 ページ： 1073-1075 発行年： 2002年02月11日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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