文献
J-GLOBAL ID:200902117449270238
整理番号:00A0114760
GaNのpendeoエピタクシー対横方向エピタクシー被覆成長 有限要素解析による比較研究
Pendeo-Epitaxy versus Lateral Epitaxial Overgrowth of GaN: A Comparative Study via Finite Element Analysis.
著者 (3件):
ZHELEVA T S
(SEDD, MD, USA)
,
ASHMAWI W M
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
JONES K A
(SEDD, MD, USA)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applied Research
(Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻:
176
号:
1
ページ:
545-551
発行年:
1999年11月16日
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
0031-8965
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)