文献
J-GLOBAL ID:200902117615625864
整理番号:95A0639095
分子ビームエピタキシーにより(001)GaAs上に成長させたワイドバンドギャップMgZnSSe
Wide band gap MgZnSSe grown on (001) GaAs by molecular beam epitaxy.
著者 (9件):
WU B J
(3M Photonics Res. Lab., Minnesota)
,
DEPUYDT J M
(3M Photonics Res. Lab., Minnesota)
,
HAUGEN G M
(3M Photonics Res. Lab., Minnesota)
,
HOEFLER G E
(3M Photonics Res. Lab., Minnesota)
,
HAASE M A
(3M Photonics Res. Lab., Minnesota)
,
CHENG H
(3M Photonics Res. Lab., Minnesota)
,
QIU J
(3M Photonics Res. Lab., Minnesota)
,
KUO L H
(Univ. Maryland, Maryland)
,
SALAMANCA-RIBA L
(Univ. Maryland, Maryland)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
66
号:
25
ページ:
3462-3464
発行年:
1995年06月19日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)