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文献
J-GLOBAL ID：200902117659578146
整理番号：98A0310198
p型SiC基板上に成長させた大電流AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタのDCおよびマイクロ波性能
DC and Microwave Performance of High-Current AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors Grown on p-Type SiC Substrates.
PING A T
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA)
,
CHEN Q
(APA Optics, Inc., MN, USA)
,
YANG J W
(APA Optics, Inc., MN, USA)
,
ASIF KHAN M
(APA Optics, Inc., MN, USA)
,
ADESIDA I
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 19 号： 2 ページ： 54-56 発行年： 1998年02月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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