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文献
J-GLOBAL ID：200902117693749480
整理番号：98A0823852
AlGaN/GaN変調ドープ電界効果トランジスタにおける二次元電子の移動度
Mobility of two-dimensional electrons in AlGaN/GaN modulation-doped field-effect transistors.
OBERHUBER R
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
,
ZANDLER G
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
,
VOGL P
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 73 号： 6 ページ： 818-820 発行年： 1998年08月10日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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