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文献
J-GLOBAL ID：200902117728690948
整理番号：00A0667194
SOIウエハにおける擬似MOSトランジスタの再検討 動作,パラメータ抽出,および応用
A Review of the Pseudo-MOS Transistor in SOI Wafers: Operation, Parameter Extraction, and Applications.
CRISTOLOVEANU S
(ENSERG, Grenoble, FRA)
,
MUNTEANU D
(ENSERG, Grenoble, FRA)
,
LIU M S T
(Honeywell SSEC, MN, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 47 号： 5 ページ： 1018-1027 発行年： 2000年05月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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