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文献
J-GLOBAL ID：200902117851125910
整理番号：02A0735168
平坦化技術で高めた高効率を有するナノ結晶シリコン電子エミッタ
Nanocrystalline silicon electron emitter with a high efficiency enhanced by a planarization technique.
NISHIGUCHI K
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
ZHAO X
(Sci. Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
ODA S
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 92 号： 5 ページ： 2748-2757 発行年： 2002年09月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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