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文献
J-GLOBAL ID：200902117981841880
整理番号：93A0367209
Schottkyダイオードを使用したGaAs上のMOVPE成長ZnSeの特性評価
Characterization of MOVPE grown ZnSe on GaAs using Schottky-diodes.
HEUKEN M
(RWTH Aachen, Aachen, DEU)
,
HOEPKEN L
(RWTH Aachen, Aachen, DEU)
,
OPITZ B
(RWTH Aachen, Aachen, DEU)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 36 号： 5 ページ： 761-766 発行年： 1993年05月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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