文献
J-GLOBAL ID:200902118088077388
整理番号:94A0113664
HREM study of GaAs layers grown on Ge by the close-spaced vapour transport technique.
著者 (4件):
GUELTON N
(INRS Energie et Materiaux, Quebec, CAN)
,
FEUILLET G
(Centre d’Etudes Nucleaires de Grenoble, Grenoble, FRA)
,
SAINT-JACQUES R G
(INRS Energie et Materiaux, Quebec, CAN)
,
DODELET J P
(INRS Energie et Materiaux, Quebec, CAN)
資料名:
Institute of Physics Conference Series
(Institute of Physics Conference Series)
号:
134
ページ:
365-368
発行年:
1993年
JST資料番号:
E0403B
ISSN:
0305-2346
CODEN:
IPHSAC
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)