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文献
J-GLOBAL ID：200902118120158328
整理番号：01A0162828
炭化けい素中のほう素の拡散 キックアウト機構の証拠
Diffusion of boron in silicon carbide: Evidence for the kick-out mechanism.
BRACHT H
(Univ. Muenster, Muenster, DEU)
,
STOLWIJK N A
(Univ. Muenster, Muenster, DEU)
,
LAUBE M
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
PENSL G
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 77 号： 20 ページ： 3188-3190 発行年： 2000年11月13日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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