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文献
J-GLOBAL ID:200902118176678758   整理番号:96A0627913

GaNエピタキシャル層からの励起子分子ルミネセンス

Biexciton Luminescence from GaN Epitaxial Layers.
著者 (8件):
OKADA K
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
YAMADA Y
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
TAGUCHI T
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
SASAKI F
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
KOBAYASHI S
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
TANI T
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
NAKAMURA S
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
SHINOMIYA G
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)

巻: 35  号: 6B  ページ: L787-L789  発行年: 1996年06月15日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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