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文献
J-GLOBAL ID：200902118176678758
整理番号：96A0627913
GaNエピタキシャル層からの励起子分子ルミネセンス
Biexciton Luminescence from GaN Epitaxial Layers.
OKADA K
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
,
YAMADA Y
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
,
TAGUCHI T
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
,
SASAKI F
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
KOBAYASHI S
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
TANI T
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
NAKAMURA S
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
SHINOMIYA G
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 35 号： 6B ページ： L787-L789 発行年： 1996年06月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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