文献
J-GLOBAL ID:200902118252871465
整理番号:94A0314097
シリサイド/シリコンヘテロ構造を用いた可変同調内部光電子放出センサ
Tunable Internal Photoemission Sensor using Silicide/Silicon Heterostructures.
著者 (4件):
SAGNES I
(France Telecom-CNET, Meylan, FRA)
,
CAMPIDELLI Y
(France Telecom-CNET, Meylan, FRA)
,
CHEVALIER F
(France Telecom-CNET, Meylan, FRA)
,
BADOZ P A
(France Telecom-CNET, Meylan, FRA)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1993
ページ:
912-914
発行年:
1993年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)