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文献
J-GLOBAL ID：200902118269857768
整理番号：95A0977244
超高輝度の緑色InGaN単一量子井戸発光ダイオード
Superbright Green InGaN Single-Quantum-Well-Structure Light-Emitting Diodes.
NAKAMURA S
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
SENOH M
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
IWASA N
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
NAGAHAMA S
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
YAMADA T
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
MUKAI T
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 34 号： 10B ページ： L1332-L1335 発行年： 1995年10月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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