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文献
J-GLOBAL ID:200902118269857768   整理番号:95A0977244

超高輝度の緑色InGaN単一量子井戸発光ダイオード

Superbright Green InGaN Single-Quantum-Well-Structure Light-Emitting Diodes.
著者 (6件):
NAKAMURA S
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
SENOH M
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
IWASA N
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
NAGAHAMA S
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
YAMADA T
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
MUKAI T
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)

巻: 34  号: 10B  ページ: L1332-L1335  発行年: 1995年10月15日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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